A A⁺ A⁺⁺

A A A A

Pl • En

Faculty of Electronics, Photonics and Microsystems

dr inż. Bogdan Paszkiewicz

Email: bogdan.paszkiewicz@pwr.edu.pl

Structure: Faculty of Electronics, Photonics and Microsystems (N) » Department of Microsystems

ul. Długa 61-65, 53-633 Wrocław
building M-11, room 136
phone +48 71 320 4947

Selected publications

Artykuł

2025

Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Andrzej Dziedzic

Acoustic emission from GaN-on-sapphire structures. Electronics. 2025, vol. 14, nr 21, art. 4146, s. 1-17. ISSN: 2079-9292
Zasoby:DOI SFX

Artykuł

2025

Mateusz M Wośko Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Grzegorz Ilgiewicz Iwona Sankowska, Regina Paszkiewicz

Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN-based structures grown on etched and non-etched Si(115) substrates for piezoelectric component separated devices. Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences. 2025, vol. 73, nr 5, art. e154728, s. 1-6. ISSN: 0239-7528; 2300-1917
Zasoby:DOI URL SFX

Artykuł

2025

Mateusz Glinkowski Bogdan Paszkiewicz Regina Paszkiewicz

Buffer leakage current in lateral AlGaN/GaN HEMT. Przegląd Elektrotechniczny. 2025, R. 101, nr 2, s. 161-165. ISSN: 0033-2097; 2449-9544
Zasoby:DOI URL

Artykuł

2024

Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Andrzej Dziedzic

Study of acoustic emission from the gate of gallium nitride high electron mobility transistors. Electronics. 2024, vol. 13, nr 10, art. 1840, s. 1-12. ISSN: 2079-9292
Zasoby:DOI URL SFX

Artykuł

2023

Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Andrzej Dziedzic

Influence of external plane stress on electric parameters of AlGaN/GaN HEMT heterostructures. Physica Status Solidi. A, Applications and Materials Science. 2023, vol. 220, nr 18, art. 2100078, s. 1-11. ISSN: 1862-6319; 1862-6300
Zasoby:DOI SFX

Artykuł

2022

Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Andrzej Dziedzic

Fabrication process stochastic model for yield estimation in microwave semiconductor devices production. Journal of Engineering. 2022, vol. 2022, art. 5561059, s. 1-7. ISSN: 2314-4904; 2314-4912
Zasoby:DOI SFX

Artykuł

2021

Mateusz M Wośko Bogdan Paszkiewicz Regina Paszkiewicz

AlGaN/GaN heterostructures electrical performance by altering GaN/sapphire buffers growth pressure and low-temperature GaN interlayers application. Crystal Research and Technology. 2021, vol. 56, nr 12, art. 2100090 s. 1-5. ISSN: 1521-4079; 0232-1300
Zasoby:DOI URL SFX

Artykuł

2021

Mateusz Glinkowski Bogdan Paszkiewicz Regina Paszkiewicz

Influence of high electric field on operation of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor. Acta Physica Polonica A. 2021, vol. 140, nr 2, s. 192-196. ISSN: 0587-4246; 1898-794X
Zasoby:DOI URL SFX

Referat konferencyjny

2020

Mateusz Glinkowski Bogdan Paszkiewicz Regina Paszkiewicz

Imperfections in AlGaN/GaN HEMT heterostructures. W: 8th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia, September 14th-17th, 2020 / [eds. J. Kováč, jr., F. Chymo, M. Feiler, D. Jandura. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2020]. s. 86-89. ISBN: 978-80-554-1735-6

Artykuł

2020

Mateusz Glinkowski Bogdan Paszkiewicz Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz

The origin and influence of compensatory current in AlGaN/GaN type high electron mobility transistor heterostructures with two conducting channels on the Hall measurements. Physica Status Solidi. A, Applications and Materials Science. 2020, vol. 217, nr 9, art. 1900661, s. 1-6. ISSN: 1862-6319; 1862-6300
Zasoby:DOI SFX

All employee publications

Wyszukiwarka

dr inż. Bogdan Paszkiewicz