A A⁺ A⁺⁺

A A A A

Pl • En

Faculty of Electronics, Photonics and Microsystems

prof. dr hab. inż. Regina Paszkiewicz

Email: regina.paszkiewicz@pwr.edu.pl

Structure: Faculty of Electronics, Photonics and Microsystems (N) » Department of Microelectronics and Nanotechnology

ul. Długa 61-65, 53-633 Wrocław
building M-11, room 133
phone +48 71 320 4945

Selected publications

Artykuł

2026

Michał Stępniak Mateusz M Wośko Wojciech Kijaszek Joanna Prażmowska-Czajka Andrzej P Stafiniak Regina Paszkiewicz

Mask interference effect in GaN SA-MOVPE: Predicting the growth of isolated structures. Materials Science and Engineering. B, Advanced Functional Solid-State Materials. 2026, vol. 323, Pt. A, art. 118730, s. 1-9. ISSN: 0921-5107; 1873-4944
Zasoby:DOI SFX

Artykuł

2025

Andrzej P Stafiniak Wojciech Macherzyński Adam Szyszka Radosław Szymon Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz

Thermal stability of thin metal films on GaN surfaces: morphology and nanostructuring. Nanomaterials. 2025, vol. 15, nr 23, art. 1789, s. 1-21. ISSN: 2079-4991
Zasoby:DOI SFX

Artykuł

2025

Hemendra Chouhan, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Milan Tapajna, Kristína Hušeková, Ildikó Cora, Alica Rosova, Miroslav Mikolášek, Fridrich Egyenes, Javad Keshtkar, Fedor Hrubišák, Michal Sobota, Peter Šiffalovič, Dagmar Gregušová, Ondrej Pohorelec, Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz Filip Gucmann,

Rotational domains and origin of improved crystal quality in heteroepitaxial (201) ϐ-Ga2O3 films grown on vicinal substrates by MOVPE. Journal of Alloys and Compounds. 2025, vol. 1044, art. 184481, s. 1-11. ISSN: 0925-8388; 1873-4669
Zasoby:URL SFX

Artykuł

2025

Mateusz M Wośko Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Grzegorz Ilgiewicz Iwona Sankowska, Regina Paszkiewicz

Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN-based structures grown on etched and non-etched Si(115) substrates for piezoelectric component separated devices. Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences. 2025, vol. 73, nr 5, art. e154728, s. 1-6. ISSN: 0239-7528; 2300-1917
Zasoby:DOI URL SFX

Artykuł

2025

Agata D Zielińska Joanna Prażmowska-Czajka Mateusz Ł Dyksik Jonathan Eroms, Dieter Weiss, Regina Paszkiewicz Mariusz Ciorga

Study of gold and bismuth electrical contacts to a MoS2 monolayer. Solid State Communications. 2025, vol. 367, art. 115824, s. 1-5. ISSN: 0038-1098; 1879-2766
Zasoby:DOI SFX

Artykuł

2025

Piotr Pokryszka Wojciech Kijaszek Sergiusz Patela Andrzej P Stafiniak Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz

In-situ characterization of GaN material using reflectance spectroscopy. Metrology and Measurement Systems. 2025, vol. 32, nr 1, s. 1-12. ISSN: 0860-8229; 2300-1941
Zasoby:DOI URL SFX

Artykuł

2025

Mateusz Glinkowski Bogdan Paszkiewicz Regina Paszkiewicz

Buffer leakage current in lateral AlGaN/GaN HEMT. Przegląd Elektrotechniczny. 2025, R. 101, nr 2, s. 161-165. ISSN: 0033-2097; 2449-9544
Zasoby:DOI URL

Referat konferencyjny

2024

Wojciech Kijaszek Karol Kolasiński, Sergiusz Patela Regina Paszkiewicz

Development of ellipsometric models of Diamond-like Carbon films deposited by the RF IC PECVD technique. W: 12th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 24-27, 2024 / eds. M. Feiler [i in.]. [B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2024]. s. 61-64. ISBN: 978-80-554-2109-4
Zasoby:URL

Artykuł

2023

Michał Stępniak Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz

The influence of GaN growth temperature on parasitic masking in SA-MOVPE using PECVD SiO2 mask. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023, vol. 168, art. 107857, s. 1-5. ISSN: 1369-8001; 1873-4081
Zasoby:DOI SFX

Artykuł

2023

Michał Stępniak Sylwia Owczarek, Adam Szyszka Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz

Characterization of the parasitic masking layer formed during GaN SA-MOVPE using PECVD SiO2 masks. Applied Surface Science. 2023, vol. 640, art. 158325, s. 1-8. ISSN: 0169-4332; 1873-5584
Zasoby:DOI URL SFX

All employee publications

Wyszukiwarka

prof. dr hab. inż. Regina Paszkiewicz