E-mail: bogdan.paszkiewicz@pwr.edu.pl

Unit: Faculty of Electronics, Photonics and Microsystems (N) » Department of Microsystems

ul. Długa 61-65, 53-633 Wrocław
building M-11, room 136
phone +48 71 320 4947

---

Selected publications
1	Artykuł 2025 Bartłomiej Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Andrzej Dziedzic, Acoustic emission from GaN-on-sapphire structures. Electronics. 2025, vol. 14, nr 21, art. 4146, s. 1-17. ISSN: 2079-9292 Zasoby:DOISFX
2	Artykuł 2025 Mateusz M Wośko, Bartłomiej Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Grzegorz Ilgiewicz, Iwona Sankowska, Regina Paszkiewicz, Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN-based structures grown on etched and non-etched Si(115) substrates for piezoelectric component separated devices. Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences. 2025, vol. 73, nr 5, art. e154728, s. 1-6. ISSN: 0239-7528; 2300-1917 Zasoby:DOIURLSFX
3	Artykuł 2025 Mateusz Glinkowski, Bogdan Paszkiewicz, Regina Paszkiewicz, Buffer leakage current in lateral AlGaN/GaN HEMT. Przegląd Elektrotechniczny. 2025, R. 101, nr 2, s. 161-165. ISSN: 0033-2097; 2449-9544 Zasoby:DOIURL
4	Artykuł 2024 Bartłomiej Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Andrzej Dziedzic, Study of acoustic emission from the gate of gallium nitride high electron mobility transistors. Electronics. 2024, vol. 13, nr 10, art. 1840, s. 1-12. ISSN: 2079-9292 Zasoby:DOIURLSFX
5	Artykuł 2023 Bartłomiej Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Andrzej Dziedzic, Influence of external plane stress on electric parameters of AlGaN/GaN HEMT heterostructures. Physica Status Solidi. A, Applications and Materials Science. 2023, vol. 220, nr 18, art. 2100078, s. 1-11. ISSN: 1862-6319; 1862-6300 Zasoby:DOISFX
6	Artykuł 2022 Bartłomiej Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Andrzej Dziedzic, Fabrication process stochastic model for yield estimation in microwave semiconductor devices production. Journal of Engineering. 2022, vol. 2022, art. 5561059, s. 1-7. ISSN: 2314-4904; 2314-4912 Zasoby:DOISFX
7	Artykuł 2021 Mateusz M Wośko, Bogdan Paszkiewicz, Regina Paszkiewicz, AlGaN/GaN heterostructures electrical performance by altering GaN/sapphire buffers growth pressure and low-temperature GaN interlayers application. Crystal Research and Technology. 2021, vol. 56, nr 12, art. 2100090 s. 1-5. ISSN: 1521-4079; 0232-1300 Zasoby:DOIURLSFX
8	Artykuł 2021 Mateusz Glinkowski, Bogdan Paszkiewicz, Regina Paszkiewicz, Influence of high electric field on operation of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor. Acta Physica Polonica A. 2021, vol. 140, nr 2, s. 192-196. ISSN: 0587-4246; 1898-794X Zasoby:DOIURLSFX
9	Referat konferencyjny 2020 Mateusz Glinkowski, Bogdan Paszkiewicz, Regina Paszkiewicz, Imperfections in AlGaN/GaN HEMT heterostructures. W: 8th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia, September 14th-17th, 2020 / [eds. J. Kováč, jr., F. Chymo, M. Feiler, D. Jandura. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2020]. s. 86-89. ISBN: 978-80-554-1735-6
10	Artykuł 2020 Mateusz Glinkowski, Bogdan Paszkiewicz, Mateusz M Wośko, Regina Paszkiewicz, The origin and influence of compensatory current in AlGaN/GaN type high electron mobility transistor heterostructures with two conducting channels on the Hall measurements. Physica Status Solidi. A, Applications and Materials Science. 2020, vol. 217, nr 9, art. 1900661, s. 1-6. ISSN: 1862-6319; 1862-6300 Zasoby:DOISFX

All publications