| Selected publications |
|---|
| 1 | Artykuł 2026
Michał Stępniak, Mateusz M Wośko, Wojciech Kijaszek, Joanna Prażmowska-Czajka, Andrzej P Stafiniak, Regina Paszkiewicz,| Mask interference effect in GaN SA-MOVPE: Predicting the growth of isolated structures. Materials Science and Engineering. B, Advanced Functional Solid-State Materials. 2026, vol. 323, Pt. A, art. 118730, s. 1-9. ISSN: 0921-5107; 1873-4944 | | Zasoby:DOISFX |     |
|
| 2 | Artykuł 2025
Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Milan Tapajna, Kristína Hušeková, Ildikó Cora, Alica Rosova, Miroslav Mikolášek, Fridrich Egyenes, Javad Keshtkar, Fedor Hrubišák, Michal Sobota, Peter Šiffalovič, Dagmar Gregušová, Ondrej Pohorelec, Mateusz M Wośko, Regina Paszkiewicz, Filip Gucmann,| Rotational domains and origin of improved crystal quality in heteroepitaxial (201) ϐ-Ga2O3 films grown on vicinal substrates by MOVPE. Journal of Alloys and Compounds. 2025, vol. 1044, art. 184481, s. 1-11. ISSN: 0925-8388; 1873-4669 | | Zasoby:URLSFX | |
|
| 3 | Artykuł 2025
Agata D Zielińska, Joanna Prażmowska-Czajka, Mateusz Ł Dyksik, Jonathan Eroms, Dieter Weiss, Regina Paszkiewicz, Mariusz Ciorga,| Study of gold and bismuth electrical contacts to a MoS2 monolayer. Solid State Communications. 2025, vol. 367, art. 115824, s. 1-5. ISSN: 0038-1098; 1879-2766 | | Zasoby:DOISFX | |
|
| 4 | Artykuł 2025
Piotr Pokryszka, Wojciech Kijaszek, Sergiusz Patela, Andrzej P Stafiniak, Mateusz M Wośko, Regina Paszkiewicz,| In-situ characterization of GaN material using reflectance spectroscopy. Metrology and Measurement Systems. 2025, vol. 32, nr 1, s. 1-12. ISSN: 0860-8229; 2300-1941 | | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
| 5 | Artykuł 2025
Mateusz Glinkowski, Bogdan Paszkiewicz, Regina Paszkiewicz,| Buffer leakage current in lateral AlGaN/GaN HEMT. Przegląd Elektrotechniczny. 2025, R. 101, nr 2, s. 161-165. ISSN: 0033-2097; 2449-9544 | | Zasoby:DOIURL | |
|
| 6 | Artykuł 2025
Mateusz M Wośko, Bartłomiej Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Grzegorz Ilgiewicz, Iwona Sankowska, Regina Paszkiewicz,| Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN-based structures grown on etched and non-etched Si(115) substrates for piezoelectric component separated devices. Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences. 2025, vol. 73, nr 5, art. e154728, s. 1-6. ISSN: 0239-7528; 2300-1917 | | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
| 7 | Artykuł 2025
Andrzej P Stafiniak, Wojciech Macherzyński, Adam Szyszka, Radosław Szymon, Mateusz M Wośko, Regina Paszkiewicz,| Thermal stability of thin metal films on GaN surfaces: morphology and nanostructuring. Nanomaterials. 2025, vol. 15, nr 23, art. 1789, s. 1-21. ISSN: 2079-4991 | | Zasoby:DOISFX | |
|
| 8 | Referat konferencyjny 2024
Wojciech Kijaszek, Karol Kolasiński, Sergiusz Patela, Regina Paszkiewicz,| Development of ellipsometric models of Diamond-like Carbon films deposited by the RF IC PECVD technique. W: 12th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 24-27, 2024 / eds. M. Feiler [i in.]. [B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2024]. s. 61-64. ISBN: 978-80-554-2109-4 | | Zasoby:URL | |
|
| 9 | Artykuł 2023
Michał Stępniak, Mateusz M Wośko, Regina Paszkiewicz,| The influence of GaN growth temperature on parasitic masking in SA-MOVPE using PECVD SiO2 mask. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023, vol. 168, art. 107857, s. 1-5. ISSN: 1369-8001; 1873-4081 | | Zasoby:DOISFX | |
|
| 10 | Artykuł 2023
Michał Stępniak, Sylwia Owczarek, Adam Szyszka, Mateusz M Wośko, Regina Paszkiewicz,| Characterization of the parasitic masking layer formed during GaN SA-MOVPE using PECVD SiO2 masks. Applied Surface Science. 2023, vol. 640, art. 158325, s. 1-8. ISSN: 0169-4332; 1873-5584 | | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
| 11 | Artykuł 2023
Wojciech Kijaszek, Artur Wiatrowski, Michał M Mazur, Damian Wojcieszak, Regina Paszkiewicz, Jaroslav Jr Kovăč,| Study on properties of diamond-like carbon films deposited by RF ICP PECVD method for micro- and optoelectronic applications. Materials Science and Engineering. B, Advanced Functional Solid-State Materials. 2023, vol. 296, s. 1-9, art. 116691. ISSN: 0921-5107; 1873-4944 | | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
