Wydział Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów

dr hab. inż. Adam Szyszka

Email: adam.szyszka@pwr.edu.pl

Jednostka: Wydział Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów » Katedra Mikroelektroniki i Nanotechnologii

ul. Długa 61-65, Wrocław
bud. M-11, pok. 146
tel. 71 320 4957


Wybrane publikacje
1
Artykuł
2023
Michał Stępniak, Sylwia Owczarek, Adam Szyszka, Mateusz Wośko, Regina Paszkiewicz,
Characterization of the parasitic masking layer formed during GaN SA-MOVPE using PECVD SiO2 masks. Applied Surface Science. 2023, vol. 640, art. 158325, s. 1-8. ISSN: 0169-4332; 1873-5584
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
2
Artykuł
2022
Sylwia Baluta, Francesca Meloni, Kinga Halicka-Stępień, Adam Szyszka, Antonio Zucca, Maria I Pilo, Joanna Cabaj,
Differential pulse voltammetry and chronoamperometry as analytical tools for epinephrine detection using a tyrosinase-based electrochemical biosensor. RSC Advances. 2022, vol. 12, nr 39, s. 25342-25353. ISSN: 2046-2069
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
3
Artykuł
2022
Scanning probe microscopy nanoscale electrical characterization of AlGaN/ GaN grown on structured GaN templates. Solid-State Electronics. 2022, vol. 193, art. 108288, s. 1-6. ISSN: 0038-1101; 1879-2405
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
4
Referat konferencyjny
2021
Atomic layer etching of gallium nitride. W: 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Podbanské, High Tatras, Slovakia, September 20-23, 2021 / [eds. D. Jandura, P. Maniaková, I. Lettrichová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021]. s. 83-86. ISBN: 978-80-554-1806-3
5
Artykuł
2021
Light-assisted scanning probe microscopy characterization of the electrical properties of AlGaN/GaN/Si heterostructures. Applied Surface Science. 2021, vol. 538, art. 148189, s. 1-12. ISSN: 0169-4332; 1873-5584
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
6
Artykuł
2020
Enzymatic platforms for sensitive neurotransmitter detection. Sensors. 2020, vol. 20, nr 2, art. 423, s. 1-25. ISSN: 1424-8220
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
7
Artykuł
2019
Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem = Characterization of the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on a silicon substrate by scanning capacitance and scanning surface potential microscopy. Przegląd Elektrotechniczny. 2019, R. 95, nr 9, s. 157-160. ISSN: 0033-2097; 2449-9544
Zasoby:DOIURLLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
8
Referat konferencyjny
2019
Regina Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Mateusz Wośko, Joanna Prażmowska-Czajka, Andrzej Stafiniak, Wojciech Macherzyński, Adam Szyszka, Sławomir Owczarzak, Bartłomiej Paszkiewicz, Grzegorz Ilgiewicz, Piotr Pokryszka, Mateusz Glinkowski, Agnieszka Zawadzka,
Projekt technologii tranzystora AlGaN/GaN VHEMT. W: XVIII Krajowa Konferencja Elektroniki : Darłówko Wschodnie, 02-06.06.2019 / Uniwersytet Morski w Gdyni. [B.m. : b.w., 2019]. s. 1-5.
9
Artykuł
2019
Impact of gallium concentration in the gas phase on composition of InGaAsN alloys grown by AP‑MOVPE correlated with their structural and optical properties. Journal of Materials Science. Materials in Electronics. 2019, vol. 30, nr 17, s. 16216-16225. ISSN: 0957-4522; 1573-482X
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
10
Artykuł
2019
Surface electrical characterization of defect related inhomogeneities of AlGaN/GaN/Si heterostructures using scanning capacitance microscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2019, vol. 94, s. 57-63. ISSN: 1369-8001
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW

Wszystkie publikacje pracownika

Politechnika Wrocławska © 2024