Wybrane publikacje |
1 | Artykuł 2023
Characterization of the parasitic masking layer formed during GaN SA-MOVPE using PECVD SiO2 masks. Applied Surface Science. 2023, vol. 640, art. 158325, s. 1-8. ISSN: 0169-4332; 1873-5584 | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
2 | Artykuł 2022
Differential pulse voltammetry and chronoamperometry as analytical tools for epinephrine detection using a tyrosinase-based electrochemical biosensor. RSC Advances. 2022, vol. 12, nr 39, s. 25342-25353. ISSN: 2046-2069 | Zasoby:DOISFX | |
|
3 | Artykuł 2022
Scanning probe microscopy nanoscale electrical characterization of AlGaN/ GaN grown on structured GaN templates. Solid-State Electronics. 2022, vol. 193, art. 108288, s. 1-6. ISSN: 0038-1101; 1879-2405 | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
4 | Referat konferencyjny 2021
Atomic layer etching of gallium nitride. W: 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Podbanské, High Tatras, Slovakia, September 20-23, 2021 / [eds. D. Jandura, P. Maniaková, I. Lettrichová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021]. s. 83-86. ISBN: 978-80-554-1806-3 |
|
5 | Artykuł 2021
Light-assisted scanning probe microscopy characterization of the electrical properties of AlGaN/GaN/Si heterostructures. Applied Surface Science. 2021, vol. 538, art. 148189, s. 1-12. ISSN: 0169-4332; 1873-5584 | Zasoby:DOISFX | |
|
6 | Artykuł 2020
Enzymatic platforms for sensitive neurotransmitter detection. Sensors. 2020, vol. 20, nr 2, art. 423, s. 1-25. ISSN: 1424-8220 | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
7 | Artykuł 2019
Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem = Characterization of the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on a silicon substrate by scanning capacitance and scanning surface potential microscopy. Przegląd Elektrotechniczny. 2019, R. 95, nr 9, s. 157-160. ISSN: 0033-2097; 2449-9544 | Zasoby:DOIURL | |
|
8 | Referat konferencyjny 2019
Regina Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Mateusz Wośko, Joanna Prażmowska-Czajka, Andrzej Stafiniak, Wojciech Macherzyński, Adam Szyszka, Sławomir Owczarzak, Bartłomiej Paszkiewicz, Grzegorz Ilgiewicz, Piotr Pokryszka, Mateusz Glinkowski, Agnieszka Zawadzka, Projekt technologii tranzystora AlGaN/GaN VHEMT. W: XVIII Krajowa Konferencja Elektroniki : Darłówko Wschodnie, 02-06.06.2019 / Uniwersytet Morski w Gdyni. [B.m. : b.w., 2019]. s. 1-5. |
|
9 | Artykuł 2019
Impact of gallium concentration in the gas phase on composition of InGaAsN alloys grown by AP‑MOVPE correlated with their structural and optical properties. Journal of Materials Science. Materials in Electronics. 2019, vol. 30, nr 17, s. 16216-16225. ISSN: 0957-4522; 1573-482X | Zasoby:DOISFX | |
|
10 | Artykuł 2019
Surface electrical characterization of defect related inhomogeneities of AlGaN/GaN/Si heterostructures using scanning capacitance microscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2019, vol. 94, s. 57-63. ISSN: 1369-8001 | Zasoby:DOISFX | |
|