Email: wojciech.dawidowski@pwr.edu.pl

Jednostka: Wydział Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów » Katedra Mikroelektroniki i Nanotechnologii

ul. Długa 61-65, Wrocław
bud. M-11, pok. 120
tel. 71 320 4940

Zainteresowania naukowe

• technologia MOVPE heterostruktur półprzewodnikowych AIIIBV-N oraz ich charakteryzacja optyczna, elektryczna i strukturalna,
• ogniwa słoneczne wytwarzane na bazie materiałów AIIIBV i ich charakteryzacja,
• analiza charakterystyk j-V ogniw słonecznych

---

Najważniejsze publikacje z ostatnich lat

2018

• López-Escalante M. C., Ściana B., Dawidowski W., Bielak K., Gabás M., Atomic configurations in AP-MOVPE grown lattice-mismatched InGaAsN films unravelled by X-ray photoelectron spectroscopy combined with bulk and surface characterization techniques. Applied Surface Science. 2018, vol. 433, s. 1-9.
• Kosa A., Stuchlíková Ľ., Harmatha L., Kováč J., Ściana B., Dawidowski W., Tłaczała M., DLTS study of InGaAs and GaAsN structures with different indium and nitrogen compositions. Materials Science in Semiconductor Processing. 2018, vol. 74, s. 313-318.

2017

• Szyszka A.,  Dawidowski W., Stafiniak A. P., Prażmowska-Czajka J.,  Ściana B., Tłaczała M., Cross-sectional scanning capacitance microscopy characterization of GaAs based solar cell structures. Crystal Research and Technology. 2017, vol. 52, nr 6, art. 1700019, s. 1-5.

2016:

• Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolášek M., Bielak K., Badura M., Pucicki D., Radziewicz D., Kováč J., Tłaczała M., The influence of top electrode of InGaAsN/GaAs solar cell on their electrical parameters extracted from illuminated I–V characteristics. Solid-State Electronics. 2016, vol. 120, s. 13-18.
• Kósa A., Stuchlíková Ľ., Harmatha L., Mikolášek M., Kováč J., Ściana B., Dawidowski W., Radziewicz D., Tłaczała M., Defect distribution in InGaAsN/GaAs multilayer solar cells. Solar Energy. 2016, vol. 132, s. 587-590.
• Ściana B., Badura M., Dawidowski W., Bielak K., Radziewicz D., Pucicki D., Szyszka A., Żelazna K., Tłaczała M.,  LP-MOVPE growth of high Si-doped InGaAs contact layer for quantum cascade laser applications. Opto-Electronics Review. 2016, vol. 24, nr 2, s. 95-102.
• Pucicki D., Bielak K., Badura M., Dawidowski W., Ściana B., Influence of GaInNAs/GaAs QWs composition profile on the transitions selection rules. Microelectronic Engineering. 2016, vol. 161, s. 13-17.

Publikacje w bazie DONA

---

Wybrane publikacje
1	Referat konferencyjny 2023 Mikołaj Badura, Beata Ściana, Adriana Łozińska, Damian Radziewicz, Wojciech Kijaszek, Wojciech Dawidowski, Kwantowe lasery kaskadowe: technologia MOVPE i konstrukcje. W: XIV Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa ELTE 2023, Ryn, 18-21 kwietnia 2023 : materiały konferencyjne. [B.m.] : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, [2023]. s. 106-107. ISBN: 978-83-64102-05-9 Zasoby:URL
2	Referat konferencyjny 2023 Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, Damian Radziewicz, Wojciech Macherzyński, Mikołaj Badura, Arpad Kosa, Miroslav Mikolášek, Matej Matuš, Martin Florovič, Ľubica Stuchlíková, Jaroslav Kováč, Wpływ wygrzewania termicznego na parametry ogniwa słonecznego GaAsN: defekty a mechanizm przepływu prądu. W: XIV Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa ELTE 2023, Ryn, 18-21 kwietnia 2023 : materiały konferencyjne. [B.m.] : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, [2023]. s. 266-267. ISBN: 978-83-64102-05-9 Zasoby:URL
3	Referat konferencyjny 2022 Peter Benko, Arpad Kosa, Matej Matuš, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Beata Ściana, Ľubica Stuchlíková, Influence of annealing temperature on emission and capture processes in GaAsN/GaAs heterostructures. W: The 14th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2022 : conference proceedings, Smolenice Castle, Slovakia, 23-26 October, 2022 / eds. Juraj Marek, Daniel Donoval, Erik Vavrinsky. [Danvers, MA] : IEEE, cop. 2022. s. 17-20. ISBN: 978-1-6654-4616-7; 978-1-7281-9776-0 Zasoby:DOI
4	Artykuł 2022 Ľubica Stuchlíková, Beata Ściana, Arpad Kosa, Matej Matuš, Peter Benko, Juraj Marek, Martin Donoval, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Martin Weis, Evaluation of effective mass in InGaAsN/GaAs quantum wells using transient spectroscopy. Materials. 2022, vol. 15, nr 21, art. 7621, s. 1-8. ISSN: 1996-1944 Zasoby:DOIURLSFX
5	Referat konferencyjny 2022 Ľubica Stuchlíková, Arpad Kosa, Peter Benko, Matej Matuš, D Cincurak, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Beata Ściana, Annealing impact on the defect distribution in GaAsN/GaAs heterostructures. W: 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 20-24, 2022 / [eds. M. Feiler, M. Ziman, S. Kováčová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022]. s. 250-253. ISBN: 978-80-554-1806-3
6	Referat konferencyjny 2022 Arpad Kosa, Wojciech Dawidowski, Jakub Drobný, Matej Matuš, Peter Benko, Damian Radziewicz, Beata Ściana, Ľubica Stuchlíková, Analysis of emission and capture processes in GaAsN p-i-n solar cell. W: 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 20-24, 2022 / [eds. M. Feiler, M. Ziman, S. Kováčová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022]. s. 254-257. ISBN: 978-80-554-1806-3
7	Referat konferencyjny 2022 Damian Radziewicz, Beata Ściana, Wojciech Dawidowski, Mikołaj Janczak, Tomasz Czyszanowski, Monika Mikulicz, Michał Rygała, Tristan Smołka, Marcin Motyka, Investigation of reflectivity of different Ti/Au metalizations for application in QC VCSEL. W: 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 20-24, 2022 / [eds. M. Feiler, M. Ziman, S. Kováčová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022]. s. 39-42. ISBN: 978-80-554-1806-3
8	Referat konferencyjny 2022 Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, Damian Radziewicz, María Cruz López-Escalante, Mercedes Gabás, Jan Kopaczek, Andrej Vincze, Jaroslav Jr Kovăč, Influence of reactor cooling atmosphere on structural and optical properties of dilute nitrides grown by AP-MOVPE. W: 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 20-24, 2022 / [eds. M. Feiler, M. Ziman, S. Kováčová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022]. s. 31-34. ISBN: 978-80-554-1806-3
9	Artykuł 2022 Beata Ściana, Wojciech Dawidowski, Damian Radziewicz, Joanna Jadczak, María Cruz López-Escalante, Víctor Manuel González de la Cruz, Mercedes Gabás, Influence of As-N interstitial complexes on strain generated in GaAsN epilayers grown by AP-MOVPE. Energies. 2022, vol. 15, nr 9, art. 3036, s. 1-11. ISSN: 1996-1073 Zasoby:DOIURLSFX
10	Referat konferencyjny 2021 Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, Joanna Jadczak, Adriana Łozińska, V Manuel, María Cruz López-Escalante, Mercedes Gabás, Arpád Kósa, Jakub Drobný, Ľubica Stuchlíková, Damian Radziewicz, How does nitrogen incorporate into GaAsN epitaxial layers?. W: 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Podbanské, High Tatras, Slovakia, September 20-23, 2021 / [eds. D. Jandura, P. Maniaková, I. Lettrichová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021]. s. 59-62. ISBN: 978-80-554-1806-3

Wszystkie publikacje pracownika