dr inż. Wojciech Dawidowski
E-mail: wojciech.dawidowski@pwr.edu.pl
Jednostka: Wydział Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów » Katedra Mikroelektroniki i Nanotechnologii
ul. Długa 61-65, Wrocław
bud. M-11, pok. 120
tel. 71 320 4940
Zainteresowania naukowe
- technologia MOVPE heterostruktur półprzewodnikowych AIIIBV-N oraz ich charakteryzacja optyczna, elektryczna i strukturalna,
- ogniwa słoneczne wytwarzane na bazie materiałów AIIIBV i ich charakteryzacja,
- analiza charakterystyk j-V ogniw słonecznych
Najważniejsze publikacje z ostatnich lat
2018
- López-Escalante M. C., Ściana B., Dawidowski W., Bielak K., Gabás M., Atomic configurations in AP-MOVPE grown lattice-mismatched InGaAsN films unravelled by X-ray photoelectron spectroscopy combined with bulk and surface characterization techniques. Applied Surface Science. 2018, vol. 433, s. 1-9.
- Kosa A., Stuchlíková Ľ., Harmatha L., Kováč J., Ściana B., Dawidowski W., Tłaczała M., DLTS study of InGaAs and GaAsN structures with different indium and nitrogen compositions. Materials Science in Semiconductor Processing. 2018, vol. 74, s. 313-318.
2017
- Szyszka A., Dawidowski W., Stafiniak A. P., Prażmowska-Czajka J., Ściana B., Tłaczała M., Cross-sectional scanning capacitance microscopy characterization of GaAs based solar cell structures. Crystal Research and Technology. 2017, vol. 52, nr 6, art. 1700019, s. 1-5.
2016:
- Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolášek M., Bielak K., Badura M., Pucicki D., Radziewicz D., Kováč J., Tłaczała M., The influence of top electrode of InGaAsN/GaAs solar cell on their electrical parameters extracted from illuminated I–V characteristics. Solid-State Electronics. 2016, vol. 120, s. 13-18.
- Kósa A., Stuchlíková Ľ., Harmatha L., Mikolášek M., Kováč J., Ściana B., Dawidowski W., Radziewicz D., Tłaczała M., Defect distribution in InGaAsN/GaAs multilayer solar cells. Solar Energy. 2016, vol. 132, s. 587-590.
- Ściana B., Badura M., Dawidowski W., Bielak K., Radziewicz D., Pucicki D., Szyszka A., Żelazna K., Tłaczała M., LP-MOVPE growth of high Si-doped InGaAs contact layer for quantum cascade laser applications. Opto-Electronics Review. 2016, vol. 24, nr 2, s. 95-102.
- Pucicki D., Bielak K., Badura M., Dawidowski W., Ściana B., Influence of GaInNAs/GaAs QWs composition profile on the transitions selection rules. Microelectronic Engineering. 2016, vol. 161, s. 13-17.
Wybrane publikacje | |||||
---|---|---|---|---|---|
1 | Artykuł 2024
| ||||
2 | Artykuł 2024
| ||||
3 | Referat konferencyjny 2024
| ||||
4 | Artykuł 2023
Juanmei Duan, Maciej O Liedke,
| ||||
5 | Referat konferencyjny 2023
| ||||
6 | Referat konferencyjny 2023
| ||||
7 | Referat konferencyjny 2023
Ľubica Stuchlíková,
| ||||
8 | Referat konferencyjny 2023
| ||||
9 | Referat konferencyjny 2023
| ||||
10 | Referat konferencyjny 2022
Peter Benko, Arpad Kosa, Matej Matuš,
|