Wybrane publikacje |
1 | Artykuł 2022
Quartz-enhanced photothermal spectroscopy-based methane detection in an anti-resonant hollow-core fiber. Sensors. 2022, vol. 22, nr 15, art. 5504, s. 1-12. ISSN: 1424-8220 | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
2 | Artykuł 2021
High performance optical shutter design with scalable aperture. Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences. 2021, vol. 69, nr 5, art. e138236, s. 1-6. ISSN: 0239-7528; 2300-1917 | Zasoby:DOISFX | |
|
3 | Artykuł 2019
Pogrubiania elektrochemiczne złotem cienkich warstw metalicznych = Electrochemical thickening with gold of thin metallic layers. Przegląd Elektrotechniczny. 2019, R. 95, nr 10, s. 146-149. ISSN: 0033-2097; 2449-9544 | Zasoby:DOIURL | |
|
4 | Artykuł 2019
Pomiary in-situ jednorodności temperatury i ex-situ grubości osadzonej warstwy w systemie epitaksjalnym AIXTRON CCS 3x2’’ = The method of temperature calibration of the epitaxy process in the AIXTRON CCS 3x2'' system. Przegląd Elektrotechniczny. 2019, R. 95, nr 10, s. 173-176. ISSN: 0033-2097; 2449-9544 | Zasoby:DOIURL | |
|
5 | Referat konferencyjny 2019
Regina Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Mateusz Wośko, Joanna Prażmowska-Czajka, Andrzej Stafiniak, Wojciech Macherzyński, Adam Szyszka, Sławomir Owczarzak, Bartłomiej Paszkiewicz, Grzegorz R Ilgiewicz, Piotr Pokryszka, Mateusz Glinkowski, Agnieszka Zawadzka, Projekt technologii tranzystora AlGaN/GaN VHEMT. W: XVIII Krajowa Konferencja Elektroniki : Darłówko Wschodnie, 02-06.06.2019 / Uniwersytet Morski w Gdyni. [B.m. : b.w., 2019]. s. 1-5. |
|
6 | Komunikat konferencyjny 2019
Wybrane problemy wieloetapowej i selektywnej epitaksji azotków trzeciej grupy układu okresowego osadzanych metodą MOVPE. W: 13th Conference „Electron Technology” ELTE ; 43rd International Microelectronics and Packaging IMAPS Poland Conference, 4-6 September 2019, Wrocław, Poland : technical digest / Eds. Rafał Walczak, Karol Malecha. [B.m.] : International Microelectronics and Packaging Society Poland Chapter, [2019]. s. 2-1. ISBN: 978-83-932464-3-4 |
|
7 | Artykuł 2019
MOVPE growth conditions optimization for AlGaN/GaN/Si heterostructures with SiN and LT-AlN interlayers designed for HEMT applications. Journal of Materials Science. Materials in Electronics. 2019, vol. 30, nr 4, s. 4111–4116. ISSN: 0957-4522; 1573-482X | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
8 | Artykuł 2018
Light influence on the sheet resistance of AlGaN/GaN heterostructures grown by MOVPE technique. Crystal Research and Technology. 2018, vol. 53, nr 11, art. 1800157, s. 1-4. ISSN: 0232-1300 | Zasoby:DOISFX | |
|
9 | Artykuł 2018
Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN = Light influence on the sheet resistance of AlGaN/GaN heterostructure. Przegląd Elektrotechniczny. 2018, R. 94, nr 9, s. 29-31. ISSN: 0033-2097; 2449-9544 2018K Toż w: 2018K Toż w: XVII Krajowa Konferencja Elektroniki [Dokument elektroniczny] : Darłówko Wschodnie, 03-07.06.2018 / Morska Akademia w Gdyni. [B.m. : b.w., 2018]. s. 1-5, 5 rys., bibliogr. 4 poz. | Zasoby:DOIURL | |
|
10 | Referat konferencyjny 2018
Influence of UV radiation on drain current in AlGaN/GaN HEMT transistor. W: 6th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 18-21, 2018 / eds. J. Nevřela [i in.]. Bratislava : Institute of Electronics and Photonics, FEI STU, [2018]. s. 144-147. ISBN: 978-80-554-1450-8 |
|