Wybrane publikacje |
1 | Artykuł 2022
Fabrication process stochastic model for yield estimation in microwave semiconductor devices production. Journal of Engineering. 2022, vol. 2022, art. 5561059, s. 1-7. ISSN: 2314-4904; 2314-4912 | Zasoby:DOISFX | |
|
2 | Artykuł 2021
AlGaN/GaN heterostructures electrical performance by altering GaN/sapphire buffers growth pressure and low-temperature GaN interlayers application. Crystal Research and Technology. 2021, vol. 56, nr 12, art. 2100090 s. 1-5. ISSN: 1521-4079; 0232-1300 | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
3 | Artykuł 2021
Influence of high electric field on operation of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor. Acta Physica Polonica A. 2021, vol. 140, nr 2, s. 192-196. ISSN: 0587-4246; 1898-794X | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
4 | Referat konferencyjny 2020
Imperfections in AlGaN/GaN HEMT heterostructures. W: 8th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia, September 14th-17th, 2020 / [eds. J. Kováč, jr., F. Chymo, M. Feiler, D. Jandura. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2020]. s. 86-89. ISBN: 978-80-554-1735-6 |
|
5 | Artykuł 2020
The origin and influence of compensatory current in AlGaN/GaN type high electron mobility transistor heterostructures with two conducting channels on the Hall measurements. Physica Status Solidi. A, Applications and Materials Science. 2020, vol. 217, nr 9, art. 1900661, s. 1-6. ISSN: 1862-6319; 1862-6300 | Zasoby:DOISFX | |
|
6 | Artykuł 2020
Metalorganic vapour-phase epitaxy of AlGaN/GaN heterostructures on chlorine plasma etched GaN templates without buried conductive layer. Materials Science in Semiconductor Processing. 2020, vol. 107, art. 104816, s. 1-6. ISSN: 1369-8001 | Zasoby:DOIURLSFX | |
|
7 | Referat konferencyjny 2019
Regina Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Mateusz Wośko, Joanna Prażmowska-Czajka, Andrzej Stafiniak, Wojciech Macherzyński, Adam Szyszka, Sławomir Owczarzak, Bartłomiej Paszkiewicz, Grzegorz R Ilgiewicz, Piotr Pokryszka, Mateusz Glinkowski, Agnieszka Zawadzka, Projekt technologii tranzystora AlGaN/GaN VHEMT. W: XVIII Krajowa Konferencja Elektroniki : Darłówko Wschodnie, 02-06.06.2019 / Uniwersytet Morski w Gdyni. [B.m. : b.w., 2019]. s. 1-5. |
|
8 | Komunikat konferencyjny 2019
Wybrane problemy wieloetapowej i selektywnej epitaksji azotków trzeciej grupy układu okresowego osadzanych metodą MOVPE. W: 13th Conference „Electron Technology” ELTE ; 43rd International Microelectronics and Packaging IMAPS Poland Conference, 4-6 September 2019, Wrocław, Poland : technical digest / Eds. Rafał Walczak, Karol Malecha. [B.m.] : International Microelectronics and Packaging Society Poland Chapter, [2019]. s. 2-1. ISBN: 978-83-932464-3-4 |
|
9 | Referat konferencyjny 2019
The effect of the second conducting channel in AlGaN/GaN type HEMT heterostructures on the Hall measurements. W: 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Štrbské Pleso, High Tatras, Slovakia, June 24-27, 2019 / eds. D. Jandura [i in.]. [B.m.] : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, [2019]. s. 59-62. ISBN: 978-80-554-1568-0 |
|
10 | Patent 2019
Kornelia Indykiewicz, Regina Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz Patent. Polska, nr PL 233806, opubl. 29.11.2019. Zgłosz. nr 428894 z 13.02.2019. Sposób wytwarzania wzorów w warstwie SixN metodą litografii elektronowej / Politechnika Wrocławska, Wrocław, PL ; Kornelia Indykiewicz, Regina Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz. 8 s. | Zasoby:URL | |
|