E-mail: mateusz.wosko@pwr.edu.pl

Jednostka: Wydział Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów » Katedra Mikroelektroniki i Nanotechnologii

ul. Długa 61-65, Wrocław
bud. M-4, pok. 114
tel. 71 320 4990

Konsultacje

• poniedziałek 9:00-11:00 (p. 114, M-4)
• wtorek 9:00-11:00 (p. 306, C-2)

---

Zainteresowania naukowe

• techniki epitaksjalne; technologia materiałów AIII-N

---

Najważniejsze publikacje z ostatnich lat

2016

• Wośko M., Paszkiewicz B., Szymański T., Paszkiewicz R., Comparison of electrical, optical and structural properties of epitaxially grown HEMT's type AlGaN/AlN/GaN heterostructures on Al2O3, Si and SiC substrates. Superlattices and Microstructures. 2016, vol. 100, s. 619-626.
• Szymański T., Wośko M., Paszkiewicz B., Serafińczuk J., Drzik M., Paszkiewicz R., Stress control by micropits density variation in strained AlGaN/GaN/SiN/AlN/Si(111) heterostructures. Crystal Research and Technology. 2016, vol. 51, nr 3, s. 225-230.
• Szymański T., Wośko M., Paszkiewicz B., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Sankowska I., Growth and coalescence control of inclined c-axis polar and semipolar GaN multilayer structures grown on Si(111), Si(112), and Si(115) by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Vacuum Science & Technology. A, Vacuum, Surfaces and Films. 2016, vol. 35, nr 5, art. 051504, s. 1-8.

2015

• Wośko M., Paszkiewicz B., Szymański T., Paszkiewicz R., Optimization of AlGaN/GaN/Si(111) buffer growth conditions for nitride based HEMTs on silicon substrates. Journal of Crystal Growth. 2015, vol. 414, s. 248-253.
• Wośko M., Paszkiewicz B., Vincze A., Szymański T., Paszkiewicz R., GaN/AlN superlattice high electron mobility transistor heterostructures on GaN/Si(111). Physica Status Solidi. B, Basic Solid State Physics. 2015, vol. 252, nr 5, s. 1195-1200.

Publikacje w bazie DONA

---

Wybrane publikacje
1	Artykuł 2026 Michał Stępniak, Mateusz M Wośko, Wojciech Kijaszek, Joanna Prażmowska-Czajka, Andrzej P Stafiniak, Regina Paszkiewicz, Mask interference effect in GaN SA-MOVPE: Predicting the growth of isolated structures. Materials Science and Engineering. B, Advanced Functional Solid-State Materials. 2026, vol. 323, Pt. A, art. 118730, s. 1-9. ISSN: 0921-5107; 1873-4944 Zasoby:DOISFX
2	Artykuł 2025 Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Milan Tapajna, Kristína Hušeková, Ildikó Cora, Alica Rosova, Miroslav Mikolášek, Fridrich Egyenes, Javad Keshtkar, Fedor Hrubišák, Michal Sobota, Peter Šiffalovič, Dagmar Gregušová, Ondrej Pohorelec, Mateusz M Wośko, Regina Paszkiewicz, Filip Gucmann, Rotational domains and origin of improved crystal quality in heteroepitaxial (201) ϐ-Ga2O3 films grown on vicinal substrates by MOVPE. Journal of Alloys and Compounds. 2025, vol. 1044, art. 184481, s. 1-11. ISSN: 0925-8388; 1873-4669 Zasoby:URLSFX
3	Artykuł 2025 Mateusz M Wośko, Bartłomiej Paszkiewicz, Bogdan Paszkiewicz, Grzegorz Ilgiewicz, Iwona Sankowska, Regina Paszkiewicz, Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN-based structures grown on etched and non-etched Si(115) substrates for piezoelectric component separated devices. Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences. 2025, vol. 73, nr 5, art. e154728, s. 1-6. ISSN: 0239-7528; 2300-1917 Zasoby:DOIURLSFX
4	Artykuł 2025 Piotr Pokryszka, Wojciech Kijaszek, Sergiusz Patela, Andrzej P Stafiniak, Mateusz M Wośko, Regina Paszkiewicz, In-situ characterization of GaN material using reflectance spectroscopy. Metrology and Measurement Systems. 2025, vol. 32, nr 1, s. 1-12. ISSN: 0860-8229; 2300-1941 Zasoby:DOIURLSFX
5	Artykuł 2023 Michał Stępniak, Mateusz M Wośko, Regina Paszkiewicz, The influence of GaN growth temperature on parasitic masking in SA-MOVPE using PECVD SiO2 mask. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023, vol. 168, art. 107857, s. 1-5. ISSN: 1369-8001; 1873-4081 Zasoby:DOISFX
6	Artykuł 2023 Michał Stępniak, Sylwia Owczarek, Adam Szyszka, Mateusz M Wośko, Regina Paszkiewicz, Characterization of the parasitic masking layer formed during GaN SA-MOVPE using PECVD SiO2 masks. Applied Surface Science. 2023, vol. 640, art. 158325, s. 1-8. ISSN: 0169-4332; 1873-5584 Zasoby:DOIURLSFX
7	Artykuł 2023 Michał Stępniak, Mateusz M Wośko, Andrzej P Stafiniak, Joanna Prażmowska-Czajka, Regina Paszkiewicz, Parasitic masking effect in GaN SA-MOVPE using SiO2 masks deposited by the PECVD technique. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023, vol. 160, art. 107394, s. 1-6. ISSN: 1369-8001; 1873-4081 Zasoby:DOISFX
8	Referat konferencyjny 2022 Michał Stępniak, Mateusz M Wośko, Joanna Prażmowska-Czajka, Andrzej P Stafiniak, Adam Kamiński, Regina Paszkiewicz, Parasitic masking during GAN SA-MOVPE under increased pressure conditions. W: 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 20-24, 2022 / [eds. M. Feiler, M. Ziman, S. Kováčová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022]. s. 55-58. ISBN: 978-80-554-1806-3
9	Artykuł 2022 Adam Szyszka, Mateusz M Wośko, Andrzej P Stafiniak, Joanna Prażmowska-Czajka, Regina Paszkiewicz, Scanning probe microscopy nanoscale electrical characterization of AlGaN/ GaN grown on structured GaN templates. Solid-State Electronics. 2022, vol. 193, art. 108288, s. 1-6. ISSN: 0038-1101; 1879-2405 Zasoby:DOIURLSFX
10	Artykuł 2021 Mateusz M Wośko, Bogdan Paszkiewicz, Regina Paszkiewicz, AlGaN/GaN heterostructures electrical performance by altering GaN/sapphire buffers growth pressure and low-temperature GaN interlayers application. Crystal Research and Technology. 2021, vol. 56, nr 12, art. 2100090 s. 1-5. ISSN: 1521-4079; 0232-1300 Zasoby:DOIURLSFX

Wszystkie publikacje pracownika