Wydział Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów

dr hab. inż. Mateusz Wośko

Email: mateusz.wosko@pwr.edu.pl

Jednostka: Wydział Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów » Katedra Mikroelektroniki i Nanotechnologii

ul. Długa 61-65, Wrocław
bud. M-4, pok. 114
tel. 71 320 4990

Konsultacje

  • poniedziałek 9:00-11:00 (p. 114, M-4)
  • wtorek 9:00-11:00 (p. 306, C-2)

Zainteresowania naukowe

  • techniki epitaksjalne; technologia materiałów AIII-N

Najważniejsze publikacje z ostatnich lat

2016

  • Wośko M., Paszkiewicz B., Szymański T., Paszkiewicz R., Comparison of electrical, optical and structural properties of epitaxially grown HEMT's type AlGaN/AlN/GaN heterostructures on Al2O3, Si and SiC substrates. Superlattices and Microstructures. 2016, vol. 100, s. 619-626.
  • Szymański T., Wośko M., Paszkiewicz B., Serafińczuk J., Drzik M., Paszkiewicz R., Stress control by micropits density variation in strained AlGaN/GaN/SiN/AlN/Si(111) heterostructures. Crystal Research and Technology. 2016, vol. 51, nr 3, s. 225-230.
  • Szymański T., Wośko M., Paszkiewicz B., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Sankowska I., Growth and coalescence control of inclined c-axis polar and semipolar GaN multilayer structures grown on Si(111), Si(112), and Si(115) by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Vacuum Science & Technology. A, Vacuum, Surfaces and Films. 2016, vol. 35, nr 5, art. 051504, s. 1-8.

2015

  • Wośko M., Paszkiewicz B., Szymański T., Paszkiewicz R., Optimization of AlGaN/GaN/Si(111) buffer growth conditions for nitride based HEMTs on silicon substrates. Journal of Crystal Growth. 2015, vol. 414, s. 248-253.
  • Wośko M., Paszkiewicz B., Vincze A., Szymański T., Paszkiewicz R., GaN/AlN superlattice high electron mobility transistor heterostructures on GaN/Si(111). Physica Status Solidi. B, Basic Solid State Physics. 2015, vol. 252, nr 5, s. 1195-1200.

Publikacje w bazie DONA


Wybrane publikacje
1
Artykuł
2023
Parasitic masking effect in GaN SA-MOVPE using SiO2 masks deposited by the PECVD technique. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023, vol. 160, art. 107394, s. 1-6. ISSN: 1369-8001; 1873-4081
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
2
Referat konferencyjny
2022
Parasitic masking during GAN SA-MOVPE under increased pressure conditions. W: 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 20-24, 2022 / [eds. M. Feiler, M. Ziman, S. Kováčová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022]. s. 55-58. ISBN: 978-80-554-1806-3
3
Artykuł
2022
Scanning probe microscopy nanoscale electrical characterization of AlGaN/ GaN grown on structured GaN templates. Solid-State Electronics. 2022, vol. 193, art. 108288, s. 1-6. ISSN: 0038-1101; 1879-2405
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
4
Artykuł
2021
AlGaN/GaN heterostructures electrical performance by altering GaN/sapphire buffers growth pressure and low-temperature GaN interlayers application. Crystal Research and Technology. 2021, vol. 56, nr 12, art. 2100090 s. 1-5. ISSN: 1521-4079; 0232-1300
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
5
Referat konferencyjny
2021
Michał Stępniak, Mateusz Wośko, Regina Paszkiewicz,
Modelling of GaN selective area metalorganic vapour phase epitaxy. W: 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Podbanské, High Tatras, Slovakia, September 20-23, 2021 / [eds. D. Jandura, P. Maniaková, I. Lettrichová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021]. s. 155-158. ISBN: 978-80-554-1806-3
6
Referat konferencyjny
2021
Atomic layer etching of gallium nitride. W: 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Podbanské, High Tatras, Slovakia, September 20-23, 2021 / [eds. D. Jandura, P. Maniaková, I. Lettrichová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021]. s. 83-86. ISBN: 978-80-554-1806-3
7
Artykuł
2021
High performance optical shutter design with scalable aperture. Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences. 2021, vol. 69, nr 5, art. e138236, s. 1-6. ISSN: 0239-7528; 2300-1917
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
8
Artykuł
2021
Light-assisted scanning probe microscopy characterization of the electrical properties of AlGaN/GaN/Si heterostructures. Applied Surface Science. 2021, vol. 538, art. 148189, s. 1-12. ISSN: 0169-4332; 1873-5584
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
9
Artykuł
2020
Growth uniformity in selective area epitaxy of AlGaN/GaN heterostructures for the application in semiconductor devices. Electronics. 2020, vol. 9, nr 12, art. 2129, s. 1-15. ISSN: 2079-9292
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
10
Referat konferencyjny
2020
Control of growth uniformity in selective area epitaxy of AlGaN/GaN by MOVPE technique. W: 8th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia, September 14th-17th, 2020 / [eds. J. Kováč, jr., F. Chymo, M. Feiler, D. Jandura. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2020]. s. 61-64. ISBN: 978-80-554-1735-6

Wszystkie publikacje pracownika

Politechnika Wrocławska © 2024