Wybrane publikacje |
1 | Artykuł 2021
Tunnel junction limited performance of InGaAsN/GaAs tandem solar cell. Solar Energy. 2021, vol. 214, s. 632-641. ISSN: 0038-092X | Zasoby:DOISFX | |
|
2 | Referat konferencyjny 2019
Determination of Schottky barrier height in MSM devices with GaAsN active layers. W: 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Štrbské Pleso, High Tatras, Slovakia, June 24-27, 2019 / eds. D. Jandura [i in. B.m.] : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, [2019]. s. 79-82. ISBN: 978-80-554-1568-0 |
|
3 | Referat konferencyjny 2018
Selective area epitaxial regrowth of buried heterostructures for QCL application. W: 6th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 18-21, 2018 / eds. J. Nevřela [i in.]. Bratislava : Institute of Electronics and Photonics, FEI STU, [2018]. s. 113-116. ISBN: 978-80-554-1450-8 |
|
4 | Komunikat konferencyjny 2018
Badanie mechanizmu przepływu prądu w ogniwie słonecznym GaAsN. W: Krajowa Konferencja Nauki i Przemysłu "Fotowoltaika 2020" : księga abstraktów, Rytro, 12-15 kwietnia 2018 / red. Kazimierz Drabczyk. Kraków : Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polskiej Akademii Nauk, 2018. s. 76-79. ISBN: 978-83-60768-44-0 | Zasoby:URL | |
|
5 | Referat konferencyjny 2017
Beata Ściana, Wojciech Dawidowski, Iwona Zborowska-Lindert, Mikołaj Badura, Damian Radziewicz, Damian Pucicki, Karolina Żelazna, Miroslav Mikolášek, Martin Florovič, Jaroslav Kováč, AP-MOVPE growth and characterization of GaAsN based solar cell. W: 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, EWMOVPE XVII, June 18-21, 2017, Grenoble, France / CEA De la recherche à l'industrie [i in.]. [B.m. : b.w., 2017]. s. 96-100. |
|
6 | Referat konferencyjny 2016
Dušan Pudiš, Lubos Šušlik, Wojciech Dawidowski, Beata Ściana, Jaroslav Kováč, Jaroslav Jr Kovăč, Matej Goraus, Peter Gašo, Jana Ďurišová, Iwona Zborowska-Lindert, GaAs-based photodetector with applied PDMS membrane with photonic crystal in the surface. W: The 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2016 : conference proceedings, Smolenice Castle, Slovakia, November 13-16, 2016 / eds. Štefan Haščík, Jaroslav Dzuba, Gabriel Vanko. [Danvers, MA] : IEEE, cop. 2016. s. 33-36. ISBN: 978-1-5090-3083-5; 978-1-5090-3081-1 | Zasoby:DOI | |
|
7 | Artykuł 2016
Epitaksja LP-MOVPE wysokorezystywnych warstw InP kompesowanych żelazem do zastosowania w kwantowych laserach kaskadowych = LP-MOVPE growth of isolating Fe-doped InP epilayers for QCL applications. Elektronika (Warszawa). 2016, R. 57, nr 9, s. 19-22. ISSN: 0033-2089 | Zasoby:DOI | |
|
8 | Artykuł 2016
Epitaxial regrowth of InP/InGaAs heterostructure on patterned, nonplanar substrates. Materials Science-Poland. 2016, vol. 34, nr 4, s. 872-880. ISSN: 2083-1331; 2083-134X | Zasoby:DOISFX | |
|
9 | Referat konferencyjny 2016
LP MOVPE selective epitaxial growth of InP:Fe on nonplanar substrates. W: 4th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 20-23, 2016 / [eds. J. Kováč i in.]. Žilina : University of Žilina, [2016]. s. 87-90. ISBN: 978-80-554-1226-9 |
|
10 | Referat konferencyjny 2016
Analysis of I-V-T dark and illuminated characteristics of InGaAsN/GaAs solar cell with the help of Lambert W function. W: 4th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 20-23, 2016 / [eds. J. Kováč i in.]. Žilina : University of Žilina, [2016]. s. 83-86. ISBN: 978-80-554-1226-9 |
|