A A+ A++
A A A A
Pl • En
Wyszukiwanie zaawansowane
Zaloguj się

Wydział Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów

Wyszukiwarka

Wyszukiwanie zaawansowane

Dołącz do nas

unite_full_logo_h_opw.gif

hr_logo.png

dr inż. Bogdan Paszkiewicz

Email: bogdan.paszkiewicz@pwr.edu.pl
Jednostka: Wydział Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów » Katedra Mikrosystemów

ul. Długa 61-65, Wrocław
bud. M-11, pok. 136
tel. 71 320 4947

Wybrane publikacje
1
Artykuł
2025
Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Andrzej Dziedzic
Acoustic emission from GaN-on-sapphire structures. Electronics. 2025, vol. 14, nr 21, art. 4146, s. 1-17. ISSN: 2079-9292
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
2
Artykuł
2025
Mateusz M Wośko Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Grzegorz Ilgiewicz Iwona Sankowska, Regina Paszkiewicz
Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN-based structures grown on etched and non-etched Si(115) substrates for piezoelectric component separated devices. Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences. 2025, vol. 73, nr 5, art. e154728, s. 1-6. ISSN: 0239-7528; 2300-1917
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
3
Artykuł
2025
Mateusz Glinkowski Bogdan Paszkiewicz Regina Paszkiewicz
Buffer leakage current in lateral AlGaN/GaN HEMT. Przegląd Elektrotechniczny. 2025, R. 101, nr 2, s. 161-165. ISSN: 0033-2097; 2449-9544
Zasoby:DOIURLLista MNiSWOpen Access
4
Artykuł
2024
Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Andrzej Dziedzic
Study of acoustic emission from the gate of gallium nitride high electron mobility transistors. Electronics. 2024, vol. 13, nr 10, art. 1840, s. 1-12. ISSN: 2079-9292
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
5
Artykuł
2023
Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Andrzej Dziedzic
Influence of external plane stress on electric parameters of AlGaN/GaN HEMT heterostructures. Physica Status Solidi. A, Applications and Materials Science. 2023, vol. 220, nr 18, art. 2100078, s. 1-11. ISSN: 1862-6319; 1862-6300
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
6
Artykuł
2022
Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Andrzej Dziedzic
Fabrication process stochastic model for yield estimation in microwave semiconductor devices production. Journal of Engineering. 2022, vol. 2022, art. 5561059, s. 1-7. ISSN: 2314-4904; 2314-4912
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
7
Artykuł
2021
Mateusz M Wośko Bogdan Paszkiewicz Regina Paszkiewicz
AlGaN/GaN heterostructures electrical performance by altering GaN/sapphire buffers growth pressure and low-temperature GaN interlayers application. Crystal Research and Technology. 2021, vol. 56, nr 12, art. 2100090 s. 1-5. ISSN: 1521-4079; 0232-1300
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW
8
Artykuł
2021
Mateusz Glinkowski Bogdan Paszkiewicz Regina Paszkiewicz
Influence of high electric field on operation of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor. Acta Physica Polonica A. 2021, vol. 140, nr 2, s. 192-196. ISSN: 0587-4246; 1898-794X
Zasoby:DOIURLSFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSWOpen Access
9
Referat konferencyjny
2020
Mateusz Glinkowski Bogdan Paszkiewicz Regina Paszkiewicz
Imperfections in AlGaN/GaN HEMT heterostructures. W: 8th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia, September 14th-17th, 2020 / [eds. J. Kováč, jr., F. Chymo, M. Feiler, D. Jandura. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2020]. s. 86-89. ISBN: 978-80-554-1735-6
10
Artykuł
2020
Mateusz Glinkowski Bogdan Paszkiewicz Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz
The origin and influence of compensatory current in AlGaN/GaN type high electron mobility transistor heterostructures with two conducting channels on the Hall measurements. Physica Status Solidi. A, Applications and Materials Science. 2020, vol. 217, nr 9, art. 1900661, s. 1-6. ISSN: 1862-6319; 1862-6300
Zasoby:DOISFXImpact FactorLista FiladelfijskaLista MNiSW

Wszystkie publikacje pracownika

Politechnika Wrocławska ©