Kolejne sześć osób z naszej uczelni otrzymało granty w konkursie Miniatura 9 od Narodowego Centrum Nauki. W sumie w tegorocznej edycji dofinansowano projekty 22 badaczy i badaczek z PWr.

W ostatnim w tym roku rozdaniu konkursu Miniatura 9 sfinansowano 191 projektów na łączną kwotę 7,9 mln zł. Naukowcom z PWr przyznano na ich projekty i wyjazdy naukowe w sumie ponad 250 tys. zł.

Nasz wydział reprezentuje trzech laureatów: dr inż. Wojciech Dawidowski (Katedra Mikroelektroniki i Nanotechnologii), dr inż. Bartosz Pruchnik ( Katedra Nanometrologii), dr inż. Michał Stępniak (Katedra Mikroelektroniki i Nanotechnologii)

Otrzymane wsparcie mogą przeznaczyć na badania wstępne, kwerendy oraz wyjazdy badawcze i konsultacyjne. Tematyka może być dowolna, jednak musi się mieścić w obszarze badań podstawowych.

Więcej o projektach laureatów

Dr inż. Wojciech Dawidowski (Katedra Mikroelektroniki i Nanotechnologii)

„Wpływ technologii osadzania warstw ZnO:Al (AZO) na podłożu GaAs na właściwości elektro-optyczne heterostruktur do zastosowań fotonicznych” – kwota dofinansowania: 49 995 zł.

Naukowiec z Katedry Mikroelektroniki i Nanotechnologii na W12 zamierza scharakteryzować heterostruktury tlenku cynku, osadzane na podłożach z arsenku galu, które mogłyby znaleźć zastosowanie w konstrukcji przyrządów fotonicznych.

 – Mój projekt dotyczy określenia optymalnej zawartości domieszki w postaci atomów glinu w warstwach ZnO osadzanych na podłożach GaAs, tak by możliwe było wytworzenie warstw o wysokiej koncentracji elektronów oraz wysokiej przezroczystości. –  wyjaśnia dr Wojciech Dawidowski.
 
Badane warstwy ZnO osadzane będą trzema metodami: impulsowym rozpylaniem laserowym (PLD), rozpylaniem magnetronowym (MS) oraz metodą osadzania warstw atomowych (ALD), co pozwoli na porównanie uzyskanych wyników i wybór najbardziej perspektywicznej technologii osadzania warstw ZnO:Al.

Uzyskane w ramach projektu wyniki będę stanowiły istotny wkład w badania heterozłączy ZnO/GaAs, które dr Dawidowski chce  wykorzystać w przyszłości do konstrukcji ogniwa słonecznego.

Dr inż. Bartosz Pruchnik (Katedra Nanometrologii)

„Badanie wpływu efektów niskowymiarowych na zjawisko piezorezystancji w materiałach nanokompozytowych” – kwota dofinansowania: 49 500 zł.

Teoretyczne modele transportu ładunku sugerują, że w obiektach jednowymiarowych (np. nanodrutach) przewodność jest silnie zależna od stanu naprężeń. Zjawisko powszechnie znane jako piezorezystancja może być wzmocnione do „gigantycznej” piezorezystancji, jeśli zostaną spełnione odpowiednie warunki materiałowe i wymiarowe.

– W swoich badaniach będę poszukiwać występowania tego efektu w nanodrutach bezpośrednio syntezowanych zogniskowaną wiązką elektronów – wyjaśnia dr Bartosz Pruchnik. – Zamierzam opracować proces technologiczny i zrozumieć to zjawisko – dodaje.

Kolejnym krokiem laureata z W12 będzie współpraca z Instytutem Mikroelektroniki i Fotoniki w Warszawie. – Wspólnie będziemy chcieli zaprojektować prototypowe nanostruktury o niespotykanych czułościach siły – mówi dr Pruchnik.

Dr inż. Michał Stępniak (Katedra Mikroelektroniki i Nanotechnologii)

„Ograniczenie pasożytniczego maskowania w selektywnej epitaksji azotku galu” – kwota dofinansowania: 49 621 zł.

–  Postępująca miniaturyzacja układów scalonych skutkuje wzrostem liczby elementów elektronicznych wytwarzanych na powierzchni podłoża w jednym procesie technologicznym –  mówi dr Michał Stępniak z W12. – W wypadku struktur półprzewodnikowych osadzanych techniką selektywnej epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych (SA-MOVPE), profil i szybkość wzrostu warstw epitaksjalnych są uwarunkowane zagęszczeniem struktur na powierzchni podłoża, co oznacza, że wzrost matryc struktur przyrządowych różni się od wzrostu struktur izolowanych.

Zjawisku można przeciwdziałać zmniejszając długość drogi dyfuzji reagentów metaloorganicznych w fazie gazowej, która przede wszystkim zależy od ciśnienia w komorze reaktora epitaksjalnego. 

Dwutlenek krzemu (SiO2), stosowany powszechnie jako warstwa maskująca w procesie SA-MOVPE azotku galu, jest niestabilny termicznie podczas osadzania warstwy półprzewodnikowej w temperaturze powyżej 1000°C, co w warunkach zwiększonego ciśnienia może prowadzić do powstawania pasożytniczych warstw maskujących, blokujących zarodziowanie GaN na powierzchni podłoża. W rezultacie zmianie ulega geometria wzoru wytrawionego w masce SiO2, a zatem i profil wytwarzanych struktur przyrządowych.

– Efektem moich badań będzie opracowanie metodyki przeciwdziałania zjawisku pasożytniczego maskowania, aby umożliwić prowadzenie procesu SA-MOVPE azotku galu w warunkach zwiększonego ciśnienia – wyjaśnia laureat z W12.

Więcej informacji o wszystkich laureatach konkursu na stronie PWr