ul. Długa 61-65, 53-633 Wrocław
building M-4, room 114
phone +48 71 320 4990

Office hours

• poniedziałek 9.00-11.00 (building M-4, room 114)
• wtorek 9.00-11.00 (building C-2, room 306)

Research fields

• Epitaxy; AIII-N materials (nitrides) technology.

Recent papers

2016

• Wośko M., Paszkiewicz B., Szymański T., Paszkiewicz R., Comparison of electrical, optical and structural properties of epitaxially grown HEMT's type AlGaN/AlN/GaN heterostructures on Al2O3, Si and SiC substrates. Superlattices and Microstructures. 2016, vol. 100, s. 619-626.
• Szymański T., Wośko M., Paszkiewicz B., Serafińczuk J., Drzik M., Paszkiewicz R., Stress control by micropits density variation in strained AlGaN/GaN/SiN/AlN/Si(111) heterostructures. Crystal Research and Technology. 2016, vol. 51, nr 3, s. 225-230.
• Szymański T., Wośko M., Paszkiewicz B., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Sankowska I., Growth and coalescence control of inclined c-axis polar and semipolar GaN multilayer structures grown on Si(111), Si(112), and Si(115) by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Vacuum Science & Technology. A, Vacuum, Surfaces and Films. 2016, vol. 35, nr 5, art. 051504, s. 1-8.

2015

• Wośko M., Paszkiewicz B., Szymański T., Paszkiewicz R., Optimization of AlGaN/GaN/Si(111) buffer growth conditions for nitride based HEMTs on silicon substrates. Journal of Crystal Growth. 2015, vol. 414, s. 248-253.
• Wośko M., Paszkiewicz B., Vincze A., Szymański T., Paszkiewicz R., GaN/AlN superlattice high electron mobility transistor heterostructures on GaN/Si(111). Physica Status Solidi. B, Basic Solid State Physics. 2015, vol. 252, nr 5, s. 1195-1200.

Papers in DONA database

Selected publications
1	Artykuł 2026 Michał Stępniak Mateusz M Wośko Wojciech Kijaszek Joanna Prażmowska-Czajka Andrzej P Stafiniak Regina Paszkiewicz Mask interference effect in GaN SA-MOVPE: Predicting the growth of isolated structures. Materials Science and Engineering. B, Advanced Functional Solid-State Materials. 2026, vol. 323, Pt. A, art. 118730, s. 1-9. ISSN: 0921-5107; 1873-4944 Zasoby:DOISFX
2	Artykuł 2025 Andrzej P Stafiniak Wojciech Macherzyński Adam Szyszka Radosław Szymon Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz Thermal stability of thin metal films on GaN surfaces: morphology and nanostructuring. Nanomaterials. 2025, vol. 15, nr 23, art. 1789, s. 1-21. ISSN: 2079-4991 Zasoby:DOISFX
3	Artykuł 2025 Hemendra Chouhan, Edmund Dobročka, Peter Nádaždy, Milan Tapajna, Kristína Hušeková, Ildikó Cora, Alica Rosova, Miroslav Mikolášek, Fridrich Egyenes, Javad Keshtkar, Fedor Hrubišák, Michal Sobota, Peter Šiffalovič, Dagmar Gregušová, Ondrej Pohorelec, Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz Filip Gucmann, Rotational domains and origin of improved crystal quality in heteroepitaxial (201) ϐ-Ga2O3 films grown on vicinal substrates by MOVPE. Journal of Alloys and Compounds. 2025, vol. 1044, art. 184481, s. 1-11. ISSN: 0925-8388; 1873-4669 Zasoby:URLSFX
4	Artykuł 2025 Mateusz M Wośko Bartłomiej Paszkiewicz Bogdan Paszkiewicz Grzegorz Ilgiewicz Iwona Sankowska, Regina Paszkiewicz Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN-based structures grown on etched and non-etched Si(115) substrates for piezoelectric component separated devices. Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences. 2025, vol. 73, nr 5, art. e154728, s. 1-6. ISSN: 0239-7528; 2300-1917 Zasoby:DOIURLSFX
5	Artykuł 2025 Piotr Pokryszka Wojciech Kijaszek Sergiusz Patela Andrzej P Stafiniak Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz In-situ characterization of GaN material using reflectance spectroscopy. Metrology and Measurement Systems. 2025, vol. 32, nr 1, s. 1-12. ISSN: 0860-8229; 2300-1941 Zasoby:DOIURLSFX
6	Artykuł 2023 Michał Stępniak Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz The influence of GaN growth temperature on parasitic masking in SA-MOVPE using PECVD SiO2 mask. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023, vol. 168, art. 107857, s. 1-5. ISSN: 1369-8001; 1873-4081 Zasoby:DOISFX
7	Artykuł 2023 Michał Stępniak Sylwia Owczarek, Adam Szyszka Mateusz M Wośko Regina Paszkiewicz Characterization of the parasitic masking layer formed during GaN SA-MOVPE using PECVD SiO2 masks. Applied Surface Science. 2023, vol. 640, art. 158325, s. 1-8. ISSN: 0169-4332; 1873-5584 Zasoby:DOIURLSFX
8	Artykuł 2023 Michał Stępniak Mateusz M Wośko Andrzej P Stafiniak Joanna Prażmowska-Czajka Regina Paszkiewicz Parasitic masking effect in GaN SA-MOVPE using SiO2 masks deposited by the PECVD technique. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023, vol. 160, art. 107394, s. 1-6. ISSN: 1369-8001; 1873-4081 Zasoby:DOISFX
9	Referat konferencyjny 2022 Michał Stępniak Mateusz M Wośko Joanna Prażmowska-Czajka Andrzej P Stafiniak Adam Kamiński Regina Paszkiewicz Parasitic masking during GAN SA-MOVPE under increased pressure conditions. W: 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : proceedings of ADEPT, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia, June 20-24, 2022 / [eds. M. Feiler, M. Ziman, S. Kováčová, J. Kováč, jr. B.m. : University of Žilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022]. s. 55-58. ISBN: 978-80-554-1806-3
10	Artykuł 2022 Adam Szyszka Mateusz M Wośko Andrzej P Stafiniak Joanna Prażmowska-Czajka Regina Paszkiewicz Scanning probe microscopy nanoscale electrical characterization of AlGaN/ GaN grown on structured GaN templates. Solid-State Electronics. 2022, vol. 193, art. 108288, s. 1-6. ISSN: 0038-1101; 1879-2405 Zasoby:DOIURLSFX

All employee publications